光刻-MEMS加工
- 发布日期：2025-07-30
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光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。类型包括紫外接触接近式光刻、紫外投影步进式光刻、电子束光刻等
- 产品介绍
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应用材料： 硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等
光刻加工工艺: 接触式光刻
最小图形尺寸：1um，套刻精度：±0.5um
步进式光刻
投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35um ，套刻精度≤0.15um(X,Y)，曝光范围<22*22mm
电子束光刻
最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围 < 直径100mm
