正性光刻胶(湿法刻蚀正性薄胶

正性系列光刻胶在所有常见的湿法蚀刻工艺中均可改善附着力，其横向分辨率取决于光刻胶的厚度，可达到亚微米级。光刻胶性能

>改善所有常见基材附着力

>宽广的工艺参数窗口，可实现稳定、可重复的光刻工艺>显影速度快

>与所有常见的显影剂兼容(基于NaOH,KOH或TMAH)

>与所有常见的剥离剂兼容(例如与JT 100去除剂，有机溶剂或碱性溶液)

>对g,h和i线敏感(约320-440 nm)>抗蚀膜厚度范围约0.5-3微米

JT8505正性系列的胶在溶剂浓度，光活性化合物含量以及湿法蚀刻领域的应用方面各有所不同：

JT1500系列光刻胶显影液：

如果可以使用含金属离子的显影液，推荐使用1:4稀释的NaOH基JT@351B(分辨率要求<1 μm时，推荐使用1:5...1:6稀释浓度)。可以使用基于KOH的JT@400K(也可以用1:4—1:6的比例稀释),但是，其选择性能较低，如果需要高分辨率或陡峭的光刻胶侧壁图案，则不建议使用。

如果必须使用不含金属离子的显影液，建议使用未稀释的基于TMAH的AZ@326 MIF或AZ@726 MIF显影液。

去胶剂：

对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用JT@100去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。如果抗蚀剂膜已交联(例如，干法蚀刻等离子工艺或离子注入工艺中>140°℃的高温步骤),我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。

JT5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lft-off工艺优化。

JT5214E匀胶厚度:

1.5μm~3pm,

JT5200E系列匀胶厚度为：

0.5μm~6μm。

JT5214E特征：

1)适用于高分辨率工艺(lift-off工艺);

2)适用于正负图形；

3)很宽的膜厚范围。

JT 5200E系列光刻胶参考工艺条件：

前烘：100℃ 60秒(DHP);

曝光：线步进式曝光机/接触式曝光机；

反转烘烤：110~125℃ 90秒(DHP):去离子水30秒；

全面曝光：310~405nm

(在曝光光源下全面照射);

显影：JT300MIF(2.389%)23℃30~60秒Puddle;

:JT Developer(1:1)23℃60秒Dipping;

:JT400K(1:4)23°℃60秒Dipping;

清洗：去离子水30秒；

后烘：120℃ 120秒(DHP);

剥离：JT剥离液及/或氧等离子体灰化；

产品型号：

JTP4620光刻胶膜厚范围约6-20 μm。AZP4620超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造

1、JT@P4000正性光刻胶系列有一下主要特点：

·改善了对所有常见基材的附着力，从而具有更高的稳定性，如湿法蚀刻或电镀

·较低的光敏化合物浓度，可以涂覆较厚的抗蚀剂膜(约3-30 μm)

·陡壁轮廓，高纵横比

·对g线，h线和i线敏感

·建议显影液：KOH基(如JT@400K)或TMAH基(如AZ@826 MIF)显影液

·(如JT @100去胶剂，TechniStrip P1316)

·稀释剂和边缘去胶剂：JT@EBR溶剂=PGMEA

2、JT P4620正性光刻胶基本特征：

1)高对比度，高感光度

2)高附着性，对电镀工艺高耐受性

3)多种粘度可供选择

3、JT P4620正性光刻胶参考工艺条件：

前烘：100℃90秒以上(DHP)

曝光：G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影：JT300MIF显影液23℃60~300秒

清洗：去离子水

后烘：120℃ 60秒以上

剥离：JT剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号：