JT-82000负性
- 发布日期:2024-05-25
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吉田公司的JT-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构,适合线,X-Ray,E-beam曝光。具有非常好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下,曝光均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。
JT-82000系列的特性
1)厚度范围,单层涂胶厚度为0.5 to>200 μm
2)高深宽比:>10:1
3)更多挥发性溶剂,与传统去边工艺兼容
4)降低了极性溶剂含量减小表面张力
5)表面活性成分,改善涂覆效果
应用:MEMS,钝化层应用LED微流以及光电子器件制作
JT-82000系列的属性
1)旋转涂层薄膜:<1umto="">75um
2)耐高温、耐化学性
3)光学透明
4)与i-line成像设备兼容
相关溶液:
稀释剂:JT-8 Thiner
显影液:JT-8 Developer
去胶液:Remover PG
增附剂:OmniCoat
一股储存温度
4-21℃
JT-82000化学放大,i-Line抗蚀剂非常适合制造永久性器件结构。这些负性,环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低杨氏模量,这使其成为制造微/纳米结构(如县臂,膜和微通道)的理想选择。
材料用途:PDMS模具的制造;结构部件,例如微阵列,流体通道,显示器像素壁和介电层等。
Microchem JT-82025-2075-2150同等转速,厚度逐渐提高,可根据自己实验需求选择具体的型号。目前JT-8光刻胶有2000系类和3000系列两类产品,3000系列升级后对光刻胶的粘附力,产品精度等性能进一步完善
光刻胶型号 厚度范围 JT-82000.5 0.5-0.8μm JT-82002 2-2.9μm JT-82005 5-8μm JT-82007 7-13μm JT-82010 10-20μm JT-82015 13-38μm JT-82025 20-80μm JT-82035 35-120μm JT-82050 40-170μm JT-82075 60-240μm JT-82100 100-260μm JT-82150 190-650μm 吉田公司的JT-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构,适合线,X-Ray,E-beam曝光。具有非常好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下,曝光均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。
JT-83000系列的特性
1)膜厚5-120 um
2)高深宽比:>5:1
3)常用于永久性结构制作,较JT-82000具有更好的基底粘附力,更不易于在工艺过程中产生内应 力积累应用:光电器件、微流体、MEMS芯片制作以及作为芯片绝缘、保护层使用
相关溶液:
稀释剂:JT-8 Thiner
显影液:JT-8 Developer
去胶液:Remover PG
增附剂:OmniCoat
一般储存温度:
4-21℃
JT-8光刻胶有2000系类和3000系列两类产品,3000系列升级后对光刻胶的粘附力,产品精度等性能进一步完善
光刻胶型号
厚度范围
JT-83005
5-10μm
JT-83010
8-15μm
JT-83025
22-60μm
JT-83035
32-80μm
JT-83035
44-100μm