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  • JT-82000负性

JT-82000负性

  • 发布日期:2024-05-25
  • 访问量:1125 次
  • JT-82000负性
  • 产品介绍
  • 相关产品
  • 吉田公司的JT-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构,适合线,X-Ray,E-beam曝光。具有非常好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下,曝光均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。

    JT-82000系列的特性

    1)厚度范围,单层涂胶厚度为0.5 to>200 μm

    2)高深宽比:>10:1

    3)更多挥发性溶剂,与传统去边工艺兼容

    4)降低了极性溶剂含量减小表面张力

    5)表面活性成分,改善涂覆效果

    应用:MEMS,钝化层应用LED微流以及光电子器件制作

    JT-82000系列的属性

    1)旋转涂层薄膜:<1umto="">75um

    2)耐高温、耐化学性

    3)光学透明

    4)与i-line成像设备兼容

    相关溶液:

    稀释剂:JT-8 Thiner

    显影液:JT-8 Developer

    去胶液:Remover PG

    增附剂:OmniCoat

    一股储存温度

    4-21℃

    JT-82000化学放大,i-Line抗蚀剂非常适合制造永久性器件结构。这些负性,环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低杨氏模量,这使其成为制造微/纳米结构(如县臂,膜和微通道)的理想选择。

    材料用途:PDMS模具的制造;结构部件,例如微阵列,流体通道,显示器像素壁和介电层等。

    Microchem JT-82025-2075-2150同等转速,厚度逐渐提高,可根据自己实验需求选择具体的型号。目前JT-8光刻胶有2000系类和3000系列两类产品,3000系列升级后对光刻胶的粘附力,产品精度等性能进一步完善

    光刻胶型号厚度范围
    JT-82000.50.5-0.8μm
    JT-820022-2.9μm
    JT-820055-8μm
    JT-820077-13μm
    JT-8201010-20μm
    JT-8201513-38μm
    JT-8202520-80μm
    JT-8203535-120μm
    JT-8205040-170μm
    JT-8207560-240μm
    JT-82100100-260μm
    JT-82150190-650μm


    吉田公司的JT-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构,适合线,X-Ray,E-beam曝光。具有非常好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下,曝光均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。

    JT-83000系列的特性

    1)膜厚5-120 um

    2)高深宽比:>5:1

    3)常用于永久性结构制作,较JT-82000具有更好的基底粘附力,更不易于在工艺过程中产生内应  力积累应用:光电器件、微流体、MEMS芯片制作以及作为芯片绝缘、保护层使用

    相关溶液:

    稀释剂:JT-8 Thiner

    显影液:JT-8 Developer

    去胶液:Remover PG

    增附剂:OmniCoat

    一般储存温度:

    4-21℃


    JT-8光刻胶有2000系类和3000系列两类产品,3000系列升级后对光刻胶的粘附力,产品精度等性能进一步完善


    光刻胶型号

    厚度范围

    JT-83005

    5-10μm

    JT-83010

    8-15μm

    JT-83025

    22-60μm

    JT-83035

    32-80μm

    JT-83035

    44-100μm